Neways participeert in internationaal GaNext project

 

In dit Internationale project werken 13 bedrijven uit Nederland, Duitsland en het Verenigd Koninkrijk samen om een intelligente power module te ontwikkelen op basis van GaN vermogenstransistoren. Met deze innovatieve technologie is het mogelijk de vermogensdichtheid van applicaties sterk te verhogen in vergelijking met de huidige, gangbare, silicium technologie. Hierdoor kan GaN technologie bijdragen aan miniaturisering van vermogensapplicaties.

De GaN technologie is breed toepasbaar in vermogens elektronica en is de logische stap, die past in een de huidige trend naar e-mobility, verduurzaming van de energievoorziening en vraag naar meer en compactere vermogenstoepassingen in de industrie.

Neways participeert in dit project om een naadloze implementatie van GaN technologie in de producten van haar klanten mogelijk te maken. En daarmee Neways klanten nog modernere en compactere oplossingen te kunnen bieden.  Voor dit project ontwikkelt Neways Technologies een uiterst compacte Solar inverter waar zowel de GaN technologie als de intelligente power module in worden opgenomen. Het voordeel is dat de opgedane kennis direct toepasbaar is in segmenten van de vermogens elektronica zoals toegepast door Neways klanten.

Het project loopt tot en met Maart 2023 .

Schematische weergave van de GaN Integrated Power Module (IPM; © Cambridge GaN Devices Ltd.)

GaNext Consortium Partners:

Verenigd Koninkrijk

Cambridge GaN Devices, CSA Catapult, Lyra Electronics Ltd.

Nederland
Neways Electronics International N.V., Besi Netherlands BV, Eindhoven University of Technology, Signify

Duitsland
advICo microelectronics GmbH, Maccon Elektroniksysteme GmbH, Infineon Technologies AG, SUMIDA Components & Modules GmbH, Technische Universität Dortmund, Fraunhofer IMS