Neways nimmt am internationalen GaNext-Projekt teil

 

In diesem internationalen Projekt arbeiten 13 Unternehmen aus den Niederlanden, Deutschland und Großbritannien zusammen, um ein intelligentes Leistungsmodul auf Basis von GaN-Leistungstransistoren zu entwickeln. Mit dieser innovativen Technologie ist es möglich, die Leistungsdichte von Anwendungen im Vergleich zur aktuellen, üblichen Siliziumtechnologie erheblich zu erhöhen. Infolgedessen kann die GaN-Technologie zur Miniaturisierung von Leistungsanwendungen beitragen.

Die GaN-Technologie ist in der Leistungselektronik weit verbreitet und der logische Schritt, der in den aktuellen Trend zur Elektromobilität passt und die Energieversorgung nachhaltiger macht und die Nachfrage nach immer kompakteren Stromversorgungsanwendungen in der Branche erhöht.

Neways beteiligt sich an diesem Projekt, um eine nahtlose Implementierung der GaN-Technologie in die Produkte seiner Kunden zu ermöglichen. Und damit Neways Kunden noch modernere und kompaktere Lösungen anbieten können. Für dieses Projekt entwickelt Neways Technologies einen äußerst kompakten Solarwechselrichter, der sowohl die GaN-Technologie als auch das intelligente Leistungsmodul enthält. Der Vorteil ist, dass das erworbene Wissen direkt auf Segmente der Leistungselektronik anwendbar ist, wie sie von Neways-Kunden verwendet werden.

Das Projekt läuft bis März 2023.

Schematische Darstellung des GaN Integrated Power Module (IPM; © Cambridge GaN Devices Ltd.)

GaNext Konsortium Partner:

Großbritannien
Cambridge GaN Devices, CSA Catapult, Lyra Electronics Ltd.

Niederlande
Neways Electronics International N.V., Besi Netherlands BV, Eindhoven University of Technology, Signify

Deutschland
advICo microelectronics GmbH, Maccon Elektroniksysteme GmbH, Infineon Technologies AG, SUMIDA Components & Modules GmbH, Technische Universität Dortmund, Fraunhofer IMS